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J-GLOBAL ID：200903077115660487

絶縁膜の形成方法

Inventor： 玉岡 英二 ,  上田 哲也 ,  青井 信雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999038566
Publication number (International publication number)：2000243749
Application date： Feb. 17, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 シリコン-水素結合を有する絶縁膜の上に形成されたレジストパターンを酸素プラズマにより除去するときに、該絶縁膜の露出部が変質することを防止する改質層を、厚さが小さく、膜質の劣化を招くことなく且つ厚さの制御性良く形成する。【解決手段】 シリコン基板100上の絶縁膜101の上に、第1の金属配線層102、第1の酸化珪素膜103、HSQ膜104、第2の酸化珪素膜105を順次堆積した後、レジストパターン106をマスクとしてドライエッチングを行なってコンタクトホール107を形成する。水蒸気プラズマ108を用いて改質処理を行なって、HSQ膜104におけるコンタクトホール107に露出している部分に改質層109を形成する。酸素プラズマ110を用いるアッシングによりレジストパターン106を除去する。

Claim (excerpt)：

シリコン-水素結合を有する絶縁膜の上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記絶縁膜に対して前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行なって、前記絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程と、前記絶縁膜における前記開口部に露出している露出部に対して、水酸基の中性活性種を含むプラズマにより処理を行なって、前記露出部を緻密化させる改質処理工程とを備えていることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/28 M ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 K

F-Term (68)：

4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD22 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG13 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX14 ,  5F033XX25 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02 ,  5F058AH05