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J-GLOBAL ID：200903077121360509

半導体加速度センサ

Inventor： 中邑 卓郎
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 安藤 淳二 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084233
Publication number (International publication number)：2000275271
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 撓み部を薄型化してより高感度の半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 重り部11と、重り部の側面から側方に突出して重り部と連動する略平板状の撓み部12と、撓み部の先端部を支持する支持部13と、を半導体基板を加工して形成し、撓み部にピエゾ抵抗14を形成した半導体加速度センサにおいて、撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に一致するように撓み部を設けた。

Claim (excerpt)：

重り部と、該重り部の側面から側方に突出して重り部と連動する略平板状の撓み部と、該撓み部の先端部を支持する支持部と、を半導体基板を加工して形成し、前記撓み部にピエゾ抵抗を形成した半導体加速度センサにおいて、前記撓み部の幅方向を前記重り部の厚み方向に一致するように撓み部を設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/12 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (3)：

G01P 15/12 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84 A

F-Term (8)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112EA02