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J-GLOBAL ID：200903077123076794

GaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000137493
Publication number (International publication number)：2001320054
Application date： May. 10, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高温動作が可能なGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 n型GaN層14表面に絶縁層を介してゲート電極20が形成されているGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記絶縁層は、n型GaN層14側から、Ga2 O3 層15とSiO2 層16が交互に積層された積層体17からなる。

Claim (excerpt)：

GaN系半導体表面に絶縁層を介してゲート電極が形成されているGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記絶縁層は、異なる2種類のアモルファス絶縁層が交互に積層された積層体であることを特徴とするGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/314 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/314 M ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 B

F-Term (47)：

5F040DA07 ,  5F040DA19 ,  5F040DA26 ,  5F040DC03 ,  5F040EA04 ,  5F040EB12 ,  5F040EC02 ,  5F040EC10 ,  5F040EC12 ,  5F040ED02 ,  5F040ED03 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040FC06 ,  5F058BA01 ,  5F058BA04 ,  5F058BB01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33