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J-GLOBAL ID：200903077123199918
クラスレート化合物薄膜の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998147359
Publication number (International publication number)：1999343110
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】均一な膜厚のクラスレート化合物薄膜を、膜厚制御性良く形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン、ゲルマニウム等のIV族元素からなる基板上にアルカリ金属の蒸着膜を形成し、その上に該基板を構成する材料と同一材料からなるアモルファス半導体膜を形成する。ついで、この基板を希ガス雰囲気下で加熱処理した後、真空中で加熱処理する。
Claim (excerpt)：
(A)IV族元素基板上にアルカリ金属の蒸着膜を形成し、その上に該基板を構成する材料と同一材料からなるアモルファス半導体膜を形成した後、該基板を希ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、(B)該基板を真空中で加熱処理する工程とを含むことを特徴とするクラスレート化合物薄膜の作製方法。
FI (2)：
C01B 33/02 D
, C01B 33/02 Z
