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J-GLOBAL ID:200903077124589400

プラズマ処理装置の減圧方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 河野 登夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994323143
Publication number (International publication number):1996181117
Application date: Dec. 26, 1994
Publication date: Jul. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 プラズマ処理装置の減圧時間を短縮できる方法を提供する。【構成】 メインバルブ8及び補助バルブ10を閉鎖して粗引きバルブ12を開放し、ドライポンプ11を作動させて、排気系7によりチャンバ1内を低速で減圧する。ガス導入系4からArガスをチャンバ1内へ流入し、マイクロ波導入口1aからマイクロ波を供給して励磁コイル2を作動させるとプラズマ生成室1b内にプラズマが生じる。生じたプラズマの内壁面への接触によりチャンバ1の壁面温度が上昇し、付着していた水分子が気化する。
Claim (excerpt):
処理対象物にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置内を減圧する方法であって、排気系によりプラズマ処理装置内を予備減圧する第1過程と、前記プラズマ処理装置内に高周波電力を供給してプラズマを生ぜしめる第2過程と、該第2過程終了後に前記処理対象物を前記プラズマ処理装置内に搬入する第3過程と、排気系により前記プラズマ処理装置内を所定の圧力まで減圧する第4過程とを有することを特徴とするプラズマ処理装置の減圧方法。
IPC (7):
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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