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J-GLOBAL ID：200903077129892356

固体撮像装置およびその駆動方法

Inventor： 岡本 茂 ,  黒田 隆男 ,  石川 克也 ,  塚本 朗
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993014423
Publication number (International publication number)：1993275676
Application date： Feb. 01, 1993
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 表面付近の欠陥の影響をなくして白キズ等の特性不良の発生を防ぎ、かつゲート電圧による信号電荷の読み出しを制御する。【構成】 N型拡散層13をP型基板11の中に完全に埋め込まれるように形成し、N型拡散層13の上を完全に覆うようにP型拡散層14を形成し、光電変換領域を形成する。また、N型拡散層12,13の間隔およびP型基板11内部のチャンネルの上部のP型拡散層15の不純物濃度分布を、ゲート電極17に正の電圧を印加した時に、P型基板11内部にチャンネルができ、かつチャンネルの上のゲート電極17の電圧により、チャンネルの電位が上げられるようにすることにより、信号電荷をP型基板11内部のチャンネルを通して読み出すこと、およびゲート電極17の電圧による読み出しの制御を可能とした。

Claim (excerpt)：

一導電型の第1の半導体領域内に複数個の光電変換部となる反対導電型の第2の半導体領域が形成され、前記第2の半導体領域の上部を完全に覆うように一導電型の第3の半導体領域が形成され、前記第2の半導体領域と所定の間隔をおいて電荷転送部となる反対導電型の第4の半導体領域が形成され、前記第2と第4の半導体領域の間に所定の不純物濃度分布を持つ一導電型の第5の半導体領域が形成され、前記第4と第5の半導体領域の上部に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備え、前記第2と第4の半導体領域の間隔および前記第5の半導体領域の不純物濃度分布が前記ゲート電極に電圧を印加した時に前記第4の半導体領域に蓄積された信号電荷を前記第1の半導体領域の内部のチャンネルを通して前記第2の半導体領域に読み出せかつチャンネルの上の前記ゲート電極の電圧によりチャンネルの電位が上げられるようなものにすることにより読み出しを制御することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-332166
  
• 特開平2-280377
  
• 特開平2-280377