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J-GLOBAL ID:200903077137770820

半導体チップ用キャリア,半導体モジュール,半導体チップ用キャリアの製造方法,および半導体モジュールの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 早瀬 憲一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997233595
Publication number (International publication number):1999074416
Application date: Aug. 29, 1997
Publication date: Mar. 16, 1999
Summary:
【要約】【課題】 ミリ波帯においても、モジュール性能の低下を招かず、かつ個別チップの高周波特性を容易に把握でき、しかも、小型化,高性能化を容易に達成できるフリップチップMMICチップ用キャリアおよびその製造方法を得ること。【解決手段】 誘電体ボディ10の主面上にRF信号用導体パターン11a,接地用導体パターン11b,DC用導体パターン11cを形成してコプレーナライン構造を有するフリップチップMMICチップ用キャリアを構成し、このキャリア上に、フリップチップMMICチップを搭載するようにした。
Claim (excerpt):
誘電体により形成された基板と、該誘電体基板の主面における,フリップチップ方式により実装すべき半導体チップの入出力部に対応する部分に形成されたコプレーナライン状の導体パターンとを備え、該導体パターンが上記誘電体基板の半導体チップ対応部分から当該基板の周辺部分へと延在していることを特徴とする半導体チップ用キャリア。
IPC (3):
H01L 23/12 301 ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/08
FI (3):
H01L 23/12 301 C ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/08 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
  • 特開平4-283939
  • 半導体装置及び高周波回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-264519   Applicant:松下電器産業株式会社
  • 高周波回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-012478   Applicant:松下電器産業株式会社
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