半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996019772
Publication number (International publication number)：1997172053
Application date： Feb. 06, 1996
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体基体をプラズマ処理するに際して、半導体基体の温度を高精度に制御できる半導体装置の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】冷却手段9と加熱手段8とを備えた試料台3上に半導体基体Wを載置し、冷却手段9と加熱手段8とで試料台3の温度を調整して半導体基体Wの温度を調整しつつ、プラズマPを発生させて半導体基体Wを処理する。プラズマPを発生させた際加熱手段8による加熱の度合いを予め設定した分下げ、プラズマPの発生を終了した際加熱手段8による加熱の度合いを元に戻す。

Claim (excerpt)：

冷却手段と加熱手段とを備えた試料台上に半導体基体を載置し、前記冷却手段と加熱手段とで試料台温度を調整して前記半導体基体の温度を調整しつつ、プラズマを発生させて前記半導体基体を処理するにあたり、プラズマを発生させた際前記加熱手段による加熱の度合いを予め設定した分下げ、プラズマの発生を終了した際前記加熱手段による加熱の度合いを元に戻すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/68 , C23C 16/50 , C23C 16/52 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/3065

FI (7)：

H01L 21/68 N , C23C 16/50 , C23C 16/52 , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

静電チヤツク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-294696 Applicant：富士電機株式会社
処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-347436 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
半導体製造装置における冷凍機を用いた真空装置の電極の低温温度コントロールシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-327774 Applicant：アプライド・マテリアルズ・ジャパン株式会社, 富士通株式会社

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