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J-GLOBAL ID：200903077172781240

レーザーダイオード及びその製造方法

Inventor： 下山 謙司 ,  藤森 俊成 ,  長尾 哲 ,  後藤 秀樹
Applicant, Patent owner： 三菱化成株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993055692
Publication number (International publication number)：1994268334
Application date： Mar. 16, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、横モードが安定したしきい値電流の小さいレーザーダイオード及びその製造方法に関するものである。【構成】 電流ブロック層105の屈折率を第2のクラッド層104の屈折率小さく、かつ、第1のクラッド層102及び第2のクラッド層の屈折率が活性層103の屈折率よりも小であるレーザーダイオード及び電流ブロック層の成長の際に、HClを微量含む成長用ガスを用いる方法。

Claim (excerpt)：

第1導電型のIII-V族化合物単結晶基板、該基板上に形成したIII-V族化合物単結晶からなる同一導電型の第1のクラッド層、活性層、少なくともその上部にリッジを形成した第2導電型の第2のクラッド層及び第2のクラッド層の上記リッジの側面に接するように形成された電流ブロック層を有するレーザーダイオードにおいて、第1及び第2のクラッド層の屈折率が活性層の屈折率より小であり、かつ、電流ブロック層の屈折率が第2のクラッド層の屈折率より小であることを特徴とするレーザーダイオード。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-145172
  
• 特開平3-206679
  
• 特開平3-145172
  
• 特開平3-206679