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J-GLOBAL ID：200903077187716029

発光ダイオードの製法

Inventor： 阿部 弘光
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995097160
Publication number (International publication number)：1996293623
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダブルへテロ接合構造のLEDにおいて、p型不純物がノンドープの活性層に拡散して発光効率を低下させることがなく、高特性がえられるLEDの製法を提供する。【構成】 半導体基板1上にn型クラッド層3、活性層4およびp型クラッド層6からなるダブルへテロ接合の発光層を有する発光ダイオードの製法であって、前記p型クラッド層の前記活性層側の一部を実質的にノンドープのクラッド層5にして各半導体層を順次積層する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にn型クラッド層、活性層およびp型クラッド層からなるダブルへテロ接合の発光層を有する発光ダイオードの製法であって、前記p型クラッド層の前記活性層側の一部を実質的にノンドープ層にして各半導体層を順次積層する発光ダイオードの製法。