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J-GLOBAL ID：200903077199904203

有機EL素子の製造方法および有機EL素子

Inventor： 森 匡見
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997306639
Publication number (International publication number)：1999126689
Application date： Oct. 21, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流やダークスポットの発生を抑制し、長寿命で高信頼性の有機EL素子の製造方法および有機EL素子を提供する。【解決手段】 ターゲットと基板とを有し、前記基板上に電極および有機層を有する有機EL素子を成膜する有機EL素子の製造方法であって、前記有機EL素子を成膜するに際し、予め基板表面をスパッタ法にて逆スパッタ処理する有機EL素子の製造方法とした。

Claim (excerpt)：

基板上に電極および有機層を有する有機EL素子を成膜する有機EL素子の製造方法であって、前記有機EL素子を成膜するに際し、予め基板表面をスパッタ法にて逆スパッタ処理する有機EL素子の製造方法。

IPC (4)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z