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J-GLOBAL ID：200903077209844069
半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置及びリードフレーム
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991304909
Publication number (International publication number)：1993144988
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、詳しくは、リードフレームに半導体チップを搭載して樹脂封止をなすプラスチックICの製造方法並びにその製造に使用される半導体製造装置及びリードフレームに関し、プラスチックICのリードの平坦性と半田ぬれ性とを向上する製造方法を提供することを目的とする。【構成】 リード2の先端部21が連結部材4をもって相互に連結されているリードフレームのステージ上に半導体チップを搭載して樹脂封止した後、連結部材4を切断除去してリード2を曲げ成形する工程を有する半導体装置の製造方法において、連結部材4を切断除去する際に、リードの先端部21を細くカットし、リード2を曲げ成形する際に、リードの先端部21をプレスして薄くするか、または、連結部材4を切断除去するのに先立ってリードの先端部21を細くカットしてメッキを施すように構成する。
Claim (excerpt)：
リード(2)の先端部(21)が連結部材(4)をもって相互に連結されてなるリードフレームのステージ上に半導体チップを搭載して樹脂封止した後、前記連結部材(4)を切断除去して前記リード(2)を曲げ成形する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記連結部材(4)を切断除去する際に、前記リード(2)の先端部(21)を細くカットし、前記リード(2)を曲げ成形する際に、前記リード(2)の先端部(21)をプレスして薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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