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J-GLOBAL ID：200903077219536109

イオン伝導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： 鹿嶋 孝文 ,  中村 克明 ,  石橋 功成 ,  加藤 嘉則
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992275545
Publication number (International publication number)：1994102232
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】優れた電極接合特性を持つ薄膜型のイオン伝導体デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板1上にシリコン酸化膜12を介してイオン伝導体膜としてZrO2 -Y2 O3 膜13を形成し、この上に選択的にバッファ層14,15を介してPtカソード電極16,アノード電極17を形成している。バッファ層14,15は、酸素ガスをキャリアガスとする反応性スパッタ法により酸素ガス供給量を可変制御しながら形成された、ZrO2 -Y2 O3 膜13と同系統の酸化物膜であり、Pt電極16,17に接する部分では酸素含有量がほぼ零となるように、酸素含有量に傾斜分布を持たせている。

Claim (excerpt)：

基板上に酸化物イオン伝導体膜とこれに接する電極が形成されたイオン伝導体デバイスにおいて、前記酸化物イオン伝導体膜と電極との間に、前記酸化物イオン伝導体と同じ金属材料の酸化物であって、かつ、電極側に行くにつれて酸素含有量が低下するバッファ層を介在させたことを特徴とするイオン伝導体デバイス。

IPC (7)：

G01N 27/41 ,  B01J 19/00 ,  B32B 7/02 104 ,  C04B 35/48 ,  C23C 28/00 ,  G01N 27/416 ,  H01B 1/06

FI (2)：

G01N 27/46 325 J ,  G01N 27/46 321