窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999295056
Publication number (International publication number)：2001119066
Application date： Oct. 18, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のIn<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>1-x-y</SB>N(0<x≦1、0≦y≦1)よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。【解決手段】有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造するに際して、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスをインジウム源の有機金属化合物では窒素とし、インジウム源以外の有機金属化合物では水素とすることによって、有機金属化合物の汚染を低減する。

Claim (excerpt)：

有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法において、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスが、インジウム源の有機金属化合物では窒素であり、インジウム源以外の有機金属化合物では水素であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , C30B 29/40 502 , H01L 21/205 , H01S 5/343

FI (5)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , C30B 29/40 502 C , H01L 21/205 , H01S 5/343

F-Term (52)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077DB12 , 4G077DB21 , 4G077EG22 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA14 , 5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045BB14 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DP04 , 5F045EE03 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F073CA07 , 5F073CB01 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-038324 Applicant：株式会社東芝

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