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J-GLOBAL ID：200903077230621088

半導体発光素子

Inventor： 山根 真 ,  高須 広海
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002230210
Publication number (International publication number)：2004071885
Application date： Aug. 07, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】本発明は、低い駆動電圧で高輝度の発光をさせることができ、消費電力の低減が可能となるとともに、発光効率の高い半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】クラッド層106の表面上には、発光層(又は、活性層)103が形成されており、当該発光層103の中央部表面上には、発光層103のバンドギャップエネルギーより小さいバンドギャップエネルギーを有する発光層(又は、活性層)105が形成されている。発光層103と105の間にはバリア層は設けられておらず、発光層103は発光層105のキャリア閉じこめ層としても利用可能となっている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の表面上に形成された第1の発光層と、前記第1の発光層の中央部表面上に形成された第2の発光層と、前記第1の発光層の前記中央部以外の表面上に形成され、前記第2の発光層を挟み込むように前記第2の発光層に隣接して設けられたガイド層と、前記第2の発光層、及び前記ガイド層上に形成された第2のクラッド層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S5/22 ,  H01L33/00

FI (2)：

H01S5/22 610 ,  H01L33/00 F

F-Term (17)：

5F041AA12 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB28 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073AB06 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA04