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J-GLOBAL ID：200903077237916318

プラズマCVD法

Inventor： 中東 孝浩 ,  桑原 創
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272715
Publication number (International publication number)：1994122978
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 成膜室内気相中のシース部に捕獲されたパーティクルが成膜終了後、基体に付着したり、混入したりすることを抑制して該基体を搬出できるプラズマCVD法を提供する。【構成】 成膜室1内に設置した高周波電極2とこれに対向する接地電位の基体ホルダ3のうち該ホルダに基体90を支持させ、成膜室1内を所定成膜真空度に維持しつつ電極2と基体90間にプロセスガスを導入するとともに電極2に高周波電圧を印加して該ガスをプラズマ化し、該プラズマに基体90を曝すことで該基体上に成膜するプラズマCVD法において、成膜終了後、電極2への高周波電圧印加を停止したのち、電極2及びホルダ3上の基体90の間にパージガスを導入して成膜室1から排気することにより気相中パーティクルを排出し、その後基体90を成膜室1から搬出する工程を含むことを特徴とするプラズマCVD法。

Claim (excerpt)：

成膜室内に設置した高周波電極とこれに対向する接地電位の基体ホルダのうち該ホルダに基体を支持させ、前記成膜室内を所定成膜真空度に維持しつつ前記高周波電極と前記基体間にプロセスガスを導入するとともに前記高周波電極に高周波電圧を印加して該ガスをプラズマ化し、該プラズマに前記基体を曝すことで該基体上に成膜するプラズマCVD法において、成膜終了後、前記高周波電極への高周波電圧印加を停止したのち、該高周波電極及び前記ホルダ上の基体の間にパージガスを導入して前記成膜室から排気することにより気相中パーティクルを排出し、その後前記基体を前記成膜室から搬出する工程を含むことを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-027569
  
• 特開昭61-163279