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J-GLOBAL ID：200903077254621356

半導体記憶装置

Inventor： 垂石 敏伯 ,  前田 敏夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056433
Publication number (International publication number)：1994243674
Application date： Feb. 22, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高集積化・大容量化されたダイナミック型RAM等のページモード等による高速読み出しモードにおける実質的なCASプリチャージ時間をなくし、そのサイクルタイムを高速化する。【構成】 ページモード等による高速読み出しモードを有するダイナミック型RAM等に、例えば2組の相補共通データ線CDa*及びCDb*を設け、これらの相補共通データ線に対する相補ビット線の接続及びプリチャージ動作を、それぞれ異なるタイミングで交互に繰り返す。これにより、ダイナミック型RAM等の高集積化・大容量化が進み相補共通データ線に比較的大きな寄生容量が結合される場合でも、高速読み出しモードのサイクルタイムに影響を与えることなく、相補共通データ線のプリチャージ動作を行うことができる。

Claim (excerpt)：

指定されるビット線がそれぞれ選択的に接続される複数の共通データ線を具備し、かつ上記複数の共通データ線に対するビット線の接続及びプリチャージ動作をそれぞれ異なるタイミングで繰り返しながら選択されたワード線に結合される複数のメモリセルの読み出しデータを連続して出力しうる高速読み出しモードを有することを特徴とする半導体記憶装置。