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J-GLOBAL ID：200903077270437638

希土類イオン含有ガラス導波路の製造方法

Inventor： 中沢 正隆 ,  木村 康郎 ,  井本 克之 ,  樫村 誠一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992153679
Publication number (International publication number)：1993341145
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的はコア用ガラス膜中への希土類イオンの均一添加及び、添加量が容易に制御することができると共に、その屈折率及び膜厚も容易に制御することができる希土類イオン含有ガラス導波路の製造方法を提供することにある。【構成】 本発明は真空排気中のチャンバーの上方部に所望温度に加熱された基板を配置し、該基板の下方部に、SiO2 系のタブレットを電子ビーム照射によって蒸発させる第一蒸発部と、屈折率制御用添加物のタブレットを電子ビームあるいは熱源によって蒸発させる第二蒸発部と、希土類元素を含んだ有機金属化合物のタブレットを熱源によって気化させる気化部とを備え、これら第一蒸発部、第二蒸発部、気化部からそれぞれSiO2 系、屈折率制御用添加物、希土類元素を含んだ有機金属化合物を蒸発させて上記基板上に該屈折率制御用添加物と希土類イオンを含有したSiO2 系膜を成膜することを特徴とすることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

真空排気中のチャンバーの上方部に所望温度に加熱された基板を配置し、該基板の下方部に、SiO2 系のタブレットを電子ビーム照射によって蒸発させる第一蒸発部と、屈折率制御用添加物のタブレットを電子ビームあるいは熱源によって蒸発させる第二蒸発部と、希土類元素を含んだ有機金属化合物のタブレットを熱源によって気化させる気化部とを備え、これら第一蒸発部、第二蒸発部、気化部からそれぞれSiO2 系、屈折率制御用添加物、希土類元素を含んだ有機金属化合物を蒸発させて上記基板上に該屈折率制御用添加物と希土類イオンを含有したSiO2 系膜を成膜することを特徴とする希土類イオン含有ガラス導波路の製造方法。

IPC (2)：

G02B 6/12 ,  C03C 17/02