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J-GLOBAL ID:200903077302100606
透明導電性積層体及びそれを用いた分散型EL素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997163008
Publication number (International publication number):1999010774
Application date: Jun. 19, 1997
Publication date: Jan. 19, 1999
Summary:
【要約】【解決手段】 透明な高分子基体の一方の面に、0.1μm〜10μmの高さの凹凸を有し、かつ、ヘイズ値が0.5%〜20%であるアンチニュートンリング層を形成し、該基体のもう一方の面に透明導電膜を形成した透明導電性積層体。【効果】 本発明の透明導電性積層体を分散型EL素子の透明電極として使用すると、表示体と発光素子とをそのまま重ねて配置しても干渉縞の発生が起こらず、表示体の画像品質を損なうことがない。
Claim (excerpt):
透明な高分子基体の一方の面に少なくとも、0.1μm〜10μmの高さの凹凸を有し、かつ、ヘイズ値が0.5%〜20%であるアンチニュートンリング層を形成し、該基体のもう一方の面に少なくとも透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (4):
B32B 7/02 104
, B32B 7/02 103
, H01B 5/14
, H05B 33/28
FI (4):
B32B 7/02 104
, B32B 7/02 103
, H01B 5/14 A
, H05B 33/28
Patent cited by the Patent: