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J-GLOBAL ID：200903077321371858

集積回路製造方法

Inventor：
タイ ビッチ タ

About タイ ビッチ タ


Applicant, Patent owner：
アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー

About アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー


Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156329
Publication number (International publication number)：1994069170
Application date： Jun. 03, 1993
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】 臨界的な寸法の制御が可能で、光学的な終点検出が可能なポリイミドエッチングステップを有する、優れた集積回路製造方法を提供する。【構成】 基板1上に、反射防止皮膜として有機重合体層5を堆積する。有機重合体としては、一般的に、ポリイミドが使用される。有機重合体層5の表面上にレジスト層7を形成する。レジスト層7の選択された部分を放射線によって露光し、この部分を選択的に除去して有機重合体層5の選択された部分を露出させる。有機重合体層5の露出部分を、CHF3 、スパッタ成分、およびO2 を含むプラズマによってエッチングする。この組成のプラズマは、非常に良好な臨界的な寸法制御を可能にし、レジスト対ポリイミドの良好な選択性を提供する。
Claim (excerpt)：
基板(1)上に、反射防止皮膜として有機重合体層(5)を堆積するステップと、前記有機重合体層(5)の表面上にレジスト層(7)を形成するステップと、前記有機重合体層(5)の選択された部分を露出させるために、前記レジスト層(7)の選択された部分に放射線を照射してこの部分を除去するステップと、前記基板の選択された部分を露出させるために、前記有機重合体層(5)の前記選択された部分を、CHF3 、スパッタ成分およびO2 を含むプラズマ内でエッチングするステップとを有することを特徴とする集積回路製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/302 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312
FI (2)：
H01L 21/30 361 T ,  H01L 21/30 361 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開昭55-140229
  • 特開平3-229886
  • 特開昭62-208635
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