Pat

J-GLOBAL ID：200903077323093456

半導体ウェハの製造方法

Inventor： 飯尾 順一 ,  土屋 総二郎 ,  深谷 顕成 ,  加納 史義 ,  中久木 清
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998094897
Publication number (International publication number)：1999297650
Application date： Apr. 07, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ウェハ自体の剛性力を高めて容易にウェハの薄肉化が可能な半導体ウェハの製造方法を提供すること。【解決手段】 ウェハ張り合わせ工程においてウェハ1a、1bをホットメルト接着剤4により接合し、その接合させた状態のウェハを研削工程および研磨工程で薄肉化し、ウェハ剥離工程においてウェハ1a、1bを剥離させる。こうすることにより、研削工程および研磨工程が進むにつれてウェハ1a、1bの厚みが薄くなってきても、2枚のウェハを重ねているが故にウェハ全体としては十分な厚みを有することになる。そのため、ウェハ全体としては充分な剛性力を保持したままで研削工程および研磨工程を進めることができ、研削中あるいは研磨中にウェハが破壊することなく極めて厚みの薄いウェハを製造することができる。

Claim (excerpt)：

第1のウェハおよび第2のウェハを接合する第1の工程と、前記第1のウェハおよび前記第2のウェハの非接合面を削ることにより前記第1のウェハおよび前記第2のウェハに対して薄肉加工を施す第2の工程と、薄肉加工を施された前記第1のウェハおよび前記第2のウェハを剥離する第3の工程と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 21/304 622 P