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J-GLOBAL ID：200903077330976916

シヨツトキバリアダイオ-ド

Inventor： 大野 純一 ,  岩黒 弘明
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991223505
Publication number (International publication number)：1993048080
Application date： Aug. 08, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板の表面を凹凸状に形成し、その凹部の底部および側部と、凸部のバリア高さ(φB)を変化させて、ショットキ接合の有効面積の効率化を図ると共に、電気的特性を目的に応じて変化できる、従来のものより低損失のショットキバリアダイオ-ドを得る。【構成】 凹凸状表面の凹部には、水素プラズマに曝された変質層を有し、凸部には、もとの半導体基板に対し、同一導電型の低抵抗の半導体層を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面を凹凸状に形成し、該凹凸表面にショットキバリア金属を設けたショットキバリアダイオ-ドにおいて、前記凹凸表面の凹部は水素プラズマに曝された変質層を有し、凸部にはもとの半導体基板に対し、同一導電型の低抵抗の半導体層を形成したことを特徴とするショットキバリアダイオ-ド。