Pat
J-GLOBAL ID:200903077336024631
放電プラズマ処理方法及びその装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
河備 健二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000369483
Publication number (International publication number):2002057440
Application date: Dec. 05, 2000
Publication date: Feb. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】 大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで回路基板の処理が可能な放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法及び装置。
Claim (excerpt):
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法。
IPC (4):
H05K 3/26
, B01J 19/08
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (4):
H05K 3/26 A
, B01J 19/08 H
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
F-Term (35):
4G075AA30
, 4G075BC10
, 4G075CA14
, 4G075CA15
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075DA05
, 4G075EA01
, 4G075EB42
, 4G075EB43
, 4G075EC21
, 4G075FB02
, 4G075FB04
, 4G075FB06
, 4G075FB12
, 4G075FC11
, 4G075FC15
, 5E343AA02
, 5E343AA12
, 5E343BB08
, 5E343BB24
, 5E343BB61
, 5E343EE08
, 5E343FF23
, 5E343GG11
, 5E343GG20
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045AE29
, 5F045DQ10
, 5F045EH13
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