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J-GLOBAL ID：200903077347560780
プラズマCVD装置および半導体製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995303745
Publication number (International publication number)：1997129627
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】先行技術のプラズマCVD装置を改善して、保護膜のオーバハングを低減し、高品質の各種の薄膜、特に、絶縁膜を形成することに優れた装置および方法を提供する。【解決手段】反応炉11の内部に水平に設けられ、ウエハ2を載置するサセプタ12と、その上部に(30〜100mm)の間隔Dをなして設けられ、反応ガスGを噴射する噴射電極板13、および、噴射電極板13とサセプタ12との間に、周波数(27.12MHz〜2.45GHz)の高周波電圧と、周波数(100kHz〜1MHz)の低周波電圧とを加圧する2個の発振器163,164 とを具備し、反応炉内の気圧を1Pa以下に減圧し、加圧された高周波電圧と低周波電圧により反応ガスGをプラズマ化して、ウエハ2の表面に薄膜を形成する。そして、特に、絶縁膜の形成方法として、反応ガスとしてTRIES(トリエス)と酸素あるいはTRIESと不活性ガスと酸素の混合ガスを用いる。
Claim (excerpt)：
反応炉と、この反応炉内に水平に設けられて接地され、被処理のウエハを載置するサセプタ、このサセプタの上部に30〜100mmの範囲内において間隔Dをなして平行に設けられ、前記ウエハに対して反応ガスを噴射する噴射電極板、および、前記反応炉外に設けられ、前記噴射電極板と前記サセプタとの間に、周波数27.12MHz〜2.45GHzの範囲内の高周波電圧と、周波数100kHz〜1MHzの範囲内の低周波電圧とを加圧する2個の発振器を具備し、前記反応炉内を1Pa以下の気圧に減圧し、前記加圧された高周波電圧と低周波電圧とにより、前記反応ガスをプラズマ化して、ウエハの表面に薄膜を形成することを特徴とする、プラズマCVD装置。
IPC (4)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/316
H01L 21/31 C
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/316 X
