半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236482
Publication number (International publication number)：1996102550
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】電極パッドが陰になって発光素子の表面側から直接的に外方に向かう光量が不足するという事態を回避するとともに、従来のような反射皿等における高反射率鏡面の形成を不要もしくはその鏡面仕上げ度合いを軽減して発光デバイスの加工作業を容易化する。【構成】サファイア基板2上に、N型半導体層3、発光層4、およびP型半導体層5から構成される積層部6を形成し、かつ上記N型半導体層3とP型半導体層5との各表面露出部にそれぞれ電極パッドを形成してなる半導体発光素子1において、P型とN型とのうちの少なくとも表面側の半導体層5に形成される上記電極パッドを、導電性を有する透明膜12で構成する。そして好ましくは、上記透明膜12が形成されている半導体層5を、透光性を有する窒化ガリウム系化合物半導体層で構成し、この半導体層5に対して上記透明膜12をオーミック接触させる。

Claim (excerpt)：

基板上に、N型半導体層、発光層、およびP型半導体層から構成される積層部を形成し、かつ上記N型半導体層とP型半導体層との各表面露出部にそれぞれ電極パッドを形成してなる半導体発光素子において、P型とN型とのうちの少なくとも表面側の半導体層に形成される上記電極パッドを、導電性を有する透明膜で構成したことを特徴とする、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-300144 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313977 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
特開平4-321280

Cited by examiner (1)

化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-300144 Applicant：株式会社東芝

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