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J-GLOBAL ID：200903077364856146

強誘電トランジスタ

Inventor： ハネダー,トーマス ペーター ,  バッハホッファー,ハラルド ,  ウンガー,オイゲン
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 原 謙三 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001527362
Publication number (International publication number)：2003510848
Application date： Sep. 15, 2000
Publication date： Mar. 18, 2003
Summary：

【要約】半導体基板(11)に、2つのソース/ドレイン領域とそれらの間に配置されたチャネル領域とを備える強誘電体トランジスタにおいて、チャネル領域の表面に、Al2O3を含む第1誘電中間層(14)が配置されている。第1誘電中間層(14)の上には、強誘電層(15)とゲート電極(16)とが配置されている。第1誘電中間層にAl2O3を利用することによって、チャネル領域から第1誘電中間層(14)へ補償電荷が突き抜けるのを抑制し、それによってデータ保持時間が改善される。

Claim (excerpt)：

2つのソース/ドレイン領域(13)とそれらの間にあるチャネル領域とを、半導体基板(11)に備え、 Al2O3を含む第1誘電中間層(14)が上記チャネル領域の表面に配置されており、 強誘電層(15)およびゲート電極(16)が、上記第1誘電中間層(14)の上に配置されている強誘電トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371

F-Term (10)：

5F083FR06 ,  5F083GA11 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02 ,  5F101BF02