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J-GLOBAL ID：200903077381822379

半導体ウェハの洗浄装置

Inventor： 沖 一郎 ,  五月女 栄宏
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996031773
Publication number (International publication number)：1997232271
Application date： Feb. 20, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 1洗浄サイクル当たりの相変化回数が多く、洗浄性が高く、高信頼性で安価な半導体ウェハの洗浄装置を提供する。【解決手段】 圧送ポンプ43および加熱器44は、超臨界圧力より僅かに高い圧力であって超臨界温度より僅かに低い温度の液体状態に保ったままCO2が循環する定常状態を形成する。ヒータ制御部58は、被洗浄ウェハ41の表面温度がCO2の超臨界温度より低い場合にのみヒータ56をオンして被洗浄ウェハ41を加熱して、被洗浄ウェハ41の表面近傍のCO2を液体状態と超臨界流体状態とに相変動させる。こうして、少ない体積のCO2を相変動させて1洗浄サイクル当たりの相変化回数を多くする。また、超臨界流体状態から溶解度が高く分子間力の強い液体状態に相変動させることによって、逆汚染をなくし、パーティクルの洗浄を可能にする。また、機械的駆動手段を用いずに高い信頼性を得る。

Claim (excerpt)：

被洗浄ウェハが入れられると共に、洗浄物質の注入口および排出口を有する高圧容器と、上記高圧容器の注入口に、超臨界圧力より高い所定圧力で超臨界温度より低い所定温度である液体状態の洗浄物質を供給する洗浄物質供給手段と、上記高圧容器の排出口から、上記洗浄物質を排出する洗浄物質排出手段と、上記洗浄物質排出手段による排出量を調整して、上記高圧容器内の圧力を上記所定圧力に保つ排出量調整手段と、上記被洗浄ウェハの表面温度が上記洗浄物質の超臨界温度より低下している場合に上記被洗浄ウェハを加熱するウェハ加熱手段を備えたことを特徴とする半導体ウェハの洗浄装置。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 341 M