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J-GLOBAL ID：200903077381987491
レチクルの作成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293118
Publication number (International publication number)：1993134384
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、自己整合型位相シフトにより解像力を向上させたレチクルの作成方法に関し、精度良く遮光膜を形成して位相シフトの効果が十分に発揮され、解像力の向上を図ることができるレチクルの作成方法を提供することを目的とする。【構成】感光性膜のパターン膜8a,8b及び位相変換膜6a,6bをマスクとして、第1の幅の遮光膜7e,7fが残存するように遮光膜7c,7dをエッチング液によりサイドエッチングする工程と、感光性膜のパターン膜8a,8b,遮光膜7e,7f及び位相変換膜6a,6bを乾燥する工程と、感光性膜のパターン膜8a,8b及び位相変換膜6a,6bをマスクとして、第1の幅よりも狭い第2の幅の遮光膜7a,7bが残存するように遮光膜を再びエッチング液によりサイドエッチングする工程とを含み構成する。
Claim (excerpt)：
透明基板上に位相変換膜及び遮光膜を順次形成する工程と、前記遮光膜上に感光性膜を形成した後、該感光性膜をパターニングし、感光性膜のパターン膜を形成する工程と、前記感光性膜のパターン膜をマスクとして遮光膜及び位相変換膜をエッチング・除去する工程と、前記感光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスクとして、第1の幅の前記遮光膜が残存するように該遮光膜をエッチング液によりサイドエッチングする工程と、前記感光性膜のパターン膜,遮光膜及び位相変換膜を乾燥する工程と、前記感光性膜のパターン膜及び位相変換膜をマスクとして、前記第1の幅よりも狭い第2の幅の遮光膜が残存するように前記遮光膜を再びエッチング液によりサイドエッチングする工程とを有するレチクルの作成方法。
IPC (2)：
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