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J-GLOBAL ID:200903077384771171

太陽電池素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003428000
Publication number (International publication number):2005191107
Application date: Dec. 24, 2003
Publication date: Jul. 14, 2005
Summary:
【課題】裏面電極においてアルミニウムの玉・突起の形成や電極の膨れを抑制した高特性の裏面電極を得るとともに、半導体基板の反りを低減した高い生産性を有する太陽電池素子の製造方法を提供する。【解決手段】光電変換機能を有する半導体基板1の非受光面側に主成分としてアルミニウム粉末を含むアルミニウムペーストを塗布・焼成して第1の裏面電極である裏面集電部6を形成する工程と、非受光面側にアルミニウムよりも半田に対する濡れ性の高い金属ペーストを塗布・焼成して第2の裏面電極である裏面取出部7を形成する工程とを備え、第1および第2の裏面電極は、各々の一部同士が重ね合わされるように形成され、アルミニウム粉末は、体積基準による累積粒度分布の平均粒径D50が6〜20μmかつ、平均粒径D50の半分以下の粒径のものが全粒度分布に対して占める割合が15%以下とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
光電変換機能を有する半導体基板の非受光面側に主成分としてアルミニウム粉末を含むアルミニウムペーストを塗布・焼成して第1の裏面電極を形成する工程と、 前記非受光面側にアルミニウムよりも半田に対する濡れ性の高い金属ペーストを塗布・焼成して第2の裏面電極を形成する工程と、を備えた太陽電池素子の製造方法であって、 前記第1の裏面電極と前記第2の裏面電極とは、各々の一部同士が重ね合わされるように形成され、 前記アルミニウム粉末は、体積基準による累積粒度分布の平均粒径D50が6〜20μmかつ、平均粒径D50の半分以下の粒径のものが全粒度分布に対して占める割合が15%以下である太陽電池素子の製造方法。
IPC (1):
H01L31/04
FI (1):
H01L31/04 H
F-Term (9):
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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