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J-GLOBAL ID：200903077394269407

強誘電体キャパシタおよびその製造方法

Inventor： 十代 勇治
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995018949
Publication number (International publication number)：1996213557
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 リーク電流を大幅に低減できる高信頼性の強誘電体キャパシタを提供する。【構成】 下電極3と、この下電極3の上面に形成された強誘電体薄膜1と、この強誘電体薄膜1の上面に形成された上電極2とを備えており、強誘電体薄膜1は下電極3の周縁の内方に位置決めされ、上電極2は強誘電体薄膜1の周縁の内方に位置決めされている。

Claim (excerpt)：

下電極と、この下電極の上面に形成された強誘電体薄膜と、この強誘電体薄膜の上面に形成された上電極とを備え、前記強誘電体薄膜は前記下電極の周縁の内方に位置決めされ、前記上電極は前記強誘電体薄膜の周縁の内方に位置決めされている強誘電体キャパシタ。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-176367   Applicant：セイコーエプソン株式会社