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J-GLOBAL ID：200903077401561380

低誘電率六方晶窒化ホウ素膜、層間絶縁膜及びその製造方法

Inventor： 園部 裕之 ,  西森 年彦 ,  米倉 義道 ,  山下 信樹 ,  坂本 仁志
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000193734
Publication number (International publication number)：2002016064
Application date： Jun. 28, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 比誘電率3.0以下を有する六方晶窒化ホウ素膜を提供し、熱による金属配線の劣化が起こらない低い温度での層間絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】 比誘電率3.0以下を有する六方晶窒化ホウ素膜を提供する。また、窒素原子と水素原子との結合及びホウ素原子と水素原子との結合の合計含有量を4モル%以下とする六方晶窒化ホウ素膜、c軸方向の面間隔が5〜30%伸びているが、a軸方向の面間隔の伸びが5%以内に抑えられている六方晶窒化ホウ素膜、c軸方向が、基板に対して水平方向であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素膜を提供する。さらに、これらの六方晶窒化ホウ素を用いた層間絶縁膜を提供する。また、イオン蒸着法を用いる六方晶窒化ホウ素膜の製造方法において、水素原子との結合を含まない原料ガスを用いることを特徴とする六方晶窒化ホウ素膜の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

比誘電率3.0以下を有することを特徴とする六方晶窒化ホウ素膜。

IPC (5)：

H01L 21/318 ,  C01B 21/064 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/22 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/318 B ,  C01B 21/064 B ,  C23C 14/06 J ,  C23C 14/22 A ,  H01L 21/90 K

F-Term (23)：

4K029BA59 ,  4K029BB07 ,  4K029BB10 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA09 ,  4K029EA08 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033RR05 ,  5F033RR20 ,  5F033SS10 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW09 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC09 ,  5F058BF17 ,  5F058BF19 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02