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J-GLOBAL ID：200903077407368876

半導体装置の製造方法及び露光マスク及び半導体装置

Inventor：
早 川 良 広

About 早 川 良 広


Applicant, Patent owner：
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

About 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

, 
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996105584
Publication number (International publication number)：1997293661
Application date： Apr. 25, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ステッパ装置等を用いて露光エリアよりも大きいパターンをチップ上に露光する場合に、ショット数を極力少なくし、スループットを大きくし、量産能力を向上する。【解決手段】 サイズの大きい半導体装置の回路パターンを複数に分割し、これをステッパ露光装置の露光フィールド内に配置し、分割された回路パターンをつなぎ合わせるように描画することによってサイズの大きい半導体装置のチップパターンを形成する。例えば、図1(1)のような第1ショットマップと図1(2)のような第2ショットマップの2種類のショットマップを用いることにより、図1(3)に示すような半導体チップを作製する。第1ショットマップでは、a〜cのパターンにより分割し、第2ショットマップでは、A〜Cのパターンにより分割する。いずれかのショットマップを用いて各層毎に最適なショットを行いリニアイメージセンサを作製する。
Claim (excerpt)：
露光マスクのマスクエリア以上の大きさの半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、第1ショットマップにより一つの前記半導体装置を複数領域に分割し、該領域のパターンをマスクエリアに配置する第1の層のマスク作製工程と、前記第1ショットマップとは異なる第2ショットマップにより一つの前記半導体装置を複数領域に分割し、該領域のパターンをマスクエリアに配置することによる第2の層のマスク作製工程と、前記第1又は第2の層のマスクを用いて所定の各層のパターンを露光する露光工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 27/146
FI (5)：
H01L 21/30 502 P ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 27/14 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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