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J-GLOBAL ID：200903077416161400

光半導体素子モジュールおよびその製造方法

Inventor： 酒井 清秀
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994266709
Publication number (International publication number)：1996130320
Application date： Oct. 31, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 結合効率が高く、レンズの実装精度が緩く、安価な光半導体素子モジュールを提供する。【構成】 光ファイバ10と光結合される光半導体レーザダイオード1と、前記レーザダイオード1を搭載するステム6と、前記レーザダイオード1と前記光ファイバ10との間に光通過穴を有し、前記ステム6に固定されたキャップ8と、前記キャップ8の光通過穴部に低融点硝子16で取り付けられ、直径が0.8mm以上、屈折率が1.9以上であって、かつ表面に反射防止膜を施した、重ランタンフリント硝子からなる球レンズ7bとを備えた光半導体素子モジュール。

Claim (excerpt)：

光ファイバと光結合される光半導体素子と、前記光半導体素子を搭載するステムと、前記光半導体素子と前記光ファイバとの間に光通過穴を有し、前記ステムに固定されたキャップと、前記キャップの光通過穴部に低融点硝子により取り付けられ、直径が0.8mm以上、屈折率が1.9以上であって、かつ表面に反射防止膜を施した、重ランタンフリント硝子からなる球レンズとを備えたことを特徴とする光半導体素子モジュール。

IPC (5)：

H01L 31/0232 ,  G02B 6/42 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 31/02 C ,  H01L 25/04 Z