半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松山允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002049464
Publication number (International publication number)：2003249649
Application date： Feb. 26, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】高誘電材料をゲート絶縁膜として用いつつ、上述したような界面酸化層の形成を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体層(10)と、前記半導体層の上に設けられ、金属元素を含有する酸化物からなり、膜面に対して平行な方向に見たときにその中央よりも両端において窒素(N)及びアルミニウム(Al)の少なくともいずれかの含有量が相対的に高いゲート絶縁膜(12)と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極(13)と、を備えた半導体装置を提供する。

Claim (excerpt)：

半導体層と、前記半導体層の上に設けられ、金属元素を含有する酸化物からなり、膜面に対して平行な方向に見たときにその中央よりも両端において窒素(N)及びアルミニウム(Al)の少なくともいずれかの含有量が相対的に高いゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G

F-Term (45)：

5F058BF02 , 5F058BJ10 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AA23 , 5F140AA29 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE15 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG49 , 5F140BG50 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK16 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CE07 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

拡散障壁を有するゲート誘電体を備えた半導体デバイスおよびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-047192 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-108128 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-122018 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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