ドライエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994028657
Publication number (International publication number)：1995240402
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】高密度プラズマ装置を用い、3層レジスト・プロセスの下層レジスト膜の高速・高選択異方性エッチングを行う。【構成】誘導結合プラズマ(ICP)装置のエッチング・チャンバ46の内部では、エッチング反応生成物COx の再解離の寄与により、O* (酸素ラジカル)の密度がマルチターン・アンテナ45から遠ざかるにつれて低下する。そこで、ウェハ・ステージ48を矢印H方向に昇降させる駆動機構を設け、マルチターン・アンテナ45の下端からウェハ・ステージ48までの距離hI を可変とする。ジャストエッチング時にはこの距離hI を相対的に小として高速異方性エッチングを行い、オーバーエッチング時には相対的に大として高選択異方性エッチングを行う。【効果】オーバーエッチング時、過剰ラジカルによる異方性形状の劣化を防止できる。

Claim (excerpt)：

イオン密度が1011イオン/cm3 以上のプラズマを生成するプラズマ生成部を有するプラズマ装置に放電解離条件下で酸素系活性種を生成可能なエッチング・ガスを導入し、該プラズマ装置内に保持された基板と該プラズマ生成部との間の距離を変化させながら該基板上の有機材料膜を選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 H , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-155764 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-162624
多層レジストのエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-017808 Applicant：三菱電機株式会社

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