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J-GLOBAL ID:200903077440714046

超小型高周波回路のための相互接続構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 義明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994227352
Publication number (International publication number):1995106810
Application date: Aug. 29, 1994
Publication date: Apr. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 RF処理のためのフィルタ接続部分におけるクロストークを大幅に低減する改善されたリエントラントオフチップRF選択度構造を提供する。【構成】 差動回路(402,415)、伝送ライン(423,424)およびオフチップフィルタ(422)が前記差動要素の全てと関連する寄生容量をバランスさせる構造で使用される。該構造は差動発生回路および受信回路を備えた基板(409)を含む。各々一定の特性インピーダンスを有し、かつ各々グランドに対しバランスした容量を有する、2つの差動伝送ラインが双方ともある距離の間接近した間隔にされ、前記回路を接近した間隔の終端パッド(403)に結合する。グランド面(412)が両方の伝送ラインの下で共有される。第1の基板(409)とリエントラントRF経路(406)を有する第2の基板(408)はフィルタまたは遅延線のようなRF機能を含む。
Claim (excerpt):
超小型高周波回路のための相互接続構造であって、一対の入力端子および一対の出力端子を有する基板であって、前記一対の入力端子および一対の出力端子は前記基板への外部電気的接続を提供するもの、前記基板に形成され前記対の入力端子に結合された入力差動伝送ラインおよび前記基板に形成され前記対の出力端子に結合された出力差動伝送ライン、そして前記差動伝送ラインの下にかつ前記端子から離れて配置され前記入力および出力差動伝送ラインの間の寄生容量をバランスさせるための共通電位レベル層、を具備することを特徴とする超小型高周波回路のための相互接続構造。
IPC (2):
H01P 3/02 ,  H01P 1/20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平1-174106

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