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J-GLOBAL ID：200903077458710030

プラズマ処理装置

Inventor： 飯室 俊一 ,  深澤 和夫 ,  三浦 豊 ,  細田 正蔵
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993140031
Publication number (International publication number)：1994333850
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 処理ガスが流出する時の抵抗を高めることによりヘッダ内のプラズマ放電を抑制したプラズマ処理装置を提供する。【構成】 処理ガス供給ヘッダ51を有する電極20に形成した第1のガス孔70を介して処理空間Sに処理ガスを供給しつつ対向する電極22に保持した被処理体Wにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記ヘッダより流出する処理ガスに抵抗を付与する抵抗付与手段72を設け、これによりヘッダ内雰囲気をパッシェンの法則の放電領域外の状態にし、プロセス圧力が0.5Torr以下の場合でもヘッダ内にプラズマ微小放電が発生しないようにする。

Claim (excerpt)：

処理ガス供給ヘッダを有する電極に形成した第1のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス供給ヘッダから前記ガス孔を介して前記処理空間に流通する処理ガスに対して、前記処理空間の処理圧力を0.5Torr以下に設定した時に前記供給ヘッダ内にプラズマ放電が生じないように抵抗を付与する抵抗付与手段を形成するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46