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J-GLOBAL ID：200903077468583966

光電変換素子

Inventor： 豊田 竜生 ,  武石 裕美子
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999045475
Publication number (International publication number)：2000243466
Application date： Feb. 23, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光スペクトルの吸収波長領域を拡大し、光エネルギーから電気エネルギーへの変換特性を向上させる。【解決手段】 導電性基板30、31上に複数の半導体層32〜34が積層して設けられ、該導電性基板30、31の対極39をなす導電性基板36、37上に触媒が担持され、前記の両導電性基板30、31、36、37の間に電解質層35が設けられ、前記半導体層32〜34ごとに異なる吸収波長を有する色素が担持され、入射光側に位置する半導体層の色素の吸収波長が、該半導体層の後方の半導体層の色素の吸収波長より短波長になっていることを特徴とする光電変換素子。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に複数の半導体層が積層して設けられ、該導電性基板の対極をなす導電性基板上に触媒が担持され、前記の両導電性基板の間に電解質層が設けられ、前記半導体層ごとに異なる吸収波長を有する色素が担持され、入射光側に位置する半導体層の色素の吸収波長が、該半導体層の後方の半導体層の色素の吸収波長より短波長になっていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (11)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE15 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH07