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J-GLOBAL ID：200903077474068240
不揮発性半導体メモリ装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174234
Publication number (International publication number)：1994020487
Application date： Jul. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、誤書き込みや再書き込みによる書き込み回数の増大を防止してチップ寿命を向上させることを目的とする。【構成】 メモリ手段1におけるブロック内のページアドレスと物理的な位置との対応を管理する管理手段と、メモリ手段1の書き込み順に関する規則に従って次に使用されるべきページの物理的な位置をポイントするポイント手段と、データの書き込みに際しポイント手段でポイントされている位置を参照してデータを書き込む制御手段15とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
複数個のページから構成されるブロックに分割されたメモリセルアレイを備えたメモリ手段と、前記ブロック内のページアドレスと物理的な位置との対応を管理する管理手段と、前記メモリ手段の書き込み順に関する規則に従って次に使用されるべき前記ページの物理的な位置をポイントするポイント手段と、データの読み出しに際しては前記管理手段で管理された前記ブロック内のページアドレスと物理的な位置との対応を参照して必要なデータをアクセスし、データの書き込みに際しては前記ポイント手段でポイントされている次に使用されるべき前記ページの物理的な位置を参照してデータを書き込み前記管理手段及びポイント手段の内容を更新する制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
Patent cited by the Patent：
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