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J-GLOBAL ID：200903077491740645

窒化物系半導体装置

Inventor： 蔵口 雅彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005380321
Publication number (International publication number)：2007180454
Application date： Dec. 28, 2005
Publication date： Jul. 12, 2007
Summary：

【課題】低いオン電圧と低い逆バイアスリーク電流を有するダイオード動作可能な窒化物系半導体装置を提供する。【解決手段】AlXGa1-XN(0≦X<1)からなるキャリア走行層1と、AlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)からなる障壁層2と、障壁層2上に形成されるアノード電極3と、アノード電極3を囲むように間隔をあけて障壁層3上に形成されるカソード電極4と、アノード電極3の周縁部の下からカソード電極4の形成位置までの間の障壁層2を覆う絶縁膜5と、を備え、障壁層2におけるアノード電極3の周縁部の近傍部位に障壁層2の一部を除去したリセス構造7を形成し、アノード電極3は、リセス構造7に囲まれる障壁層2と、リセス構造7上に形成される絶縁膜5の少なくとも一部と、を覆うように形成される。【選択図】 図1-2

Claim (excerpt)：

ノンドープのAlXGa1-XN(0≦X<1)からなる第1の窒化物系半導体層と、 前記第1の窒化物系半導体層上に形成され、前記第1の窒化物系半導体層よりも格子定数の小さいノンドープまたはn型のAlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)からなる第2の窒化物系半導体層と、 前記第2の窒化物系半導体層上に形成される第1の電極と、 前記第1の電極を囲むように前記第1の電極と間隔をあけて前記第2の窒化物系半導体層上に形成される第2の電極と、 前記第1の電極の周縁部の下の前記第2の窒化物系半導体層を覆う絶縁膜と、 を有するダイオードを半導体基板上に備え、 前記第2の窒化物系半導体層における前記第1の電極の周縁部の近傍部位に前記第2の窒化物系半導体層の一部を除去したリセス構造部を形成し、前記第1の電極は、前記リセス構造部に囲まれる前記第2の窒化物系半導体層と、前記リセス構造部上に形成される前記絶縁膜の少なくとも一部と、を覆うように形成されていることを特徴とする窒化物系半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28

FI (5)：

H01L29/91 F ,  H01L29/91 H ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/06 301F ,  H01L21/28 301B

F-Term (18)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104FF31 ,  4M104GG01 ,  4M104GG02 ,  5F048AC10 ,  5F048BA03 ,  5F048BA04 ,  5F048BA06 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BB01 ,  5F048BB09 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01