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J-GLOBAL ID：200903077512874507
半導体メモリ装置の電流センシング回路
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993197391
Publication number (International publication number)：1994176580
Application date： Aug. 09, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：
【要約】【目的】 電流から電圧への変換速度の優秀な電流-電圧変換器を備える電流センシング回路の提供。【構成】 メモリセル40に接続される電流センスアンプ46と、この電流センスアンプ46の出力端に連結されるデータ線MDL、バーMDLとを有する半導体メモリ装置の電流センシング回路において、電源電圧VDD端と出力ノードSAC、バーSACとの間に設けられ、ブロック選択信号MSiによって制御される負荷手段50、51と、データ線MDL、バーMDLと出力ノードSAC、バーSACとの間に設けられ、データ線MDL、バーMDLの電流差を電圧増幅する駆動手段52、53と、データ線MDL、バーMDLと接続されるプルダウン手段54、55とから構成されている。
Claim (excerpt)：
メモリセルに接続される電流センスアンプと、この電流センスアンプの出力端に連結される一対のデータ線とを有する半導体メモリ装置の電流センシング回路において、電源電圧端と一対の出力ノードとの間に設けられ、ブロック選択信号によって制御される負荷手段と、前記一対のデータ線と前記一対の出力ノードとの間に設けられ、この一対のデータ線の電流差を電圧差として増幅する駆動手段と、前記一対のデータ線と接続されるプルダウン手段とから構成される電流-電圧変換器を備えることを特徴とする電流センシング回路。
IPC (2)：
G11C 11/419
, G11C 11/409
G11C 11/34 311
, G11C 11/34 353 A
