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J-GLOBAL ID：200903077514946696

ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

Inventor： 湯浅 基和 ,  平木 昭夫
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069722
Publication number (International publication number)：1994280019
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】粒径の均一な良質のダイヤモンド状炭素薄膜を、簡単な工程で製造する方法。【構成】炭素と水素を含有するガス及び希ガスからなる混合ガスを、電子サイクロトロン共鳴法により励起して基材7に接触させ、基材7上にダイヤモンド状炭素膜からなる下地層を形成した後、該下地層に、炭素と水素を含有するガスを励起し接触させて成膜する。

Claim (excerpt)：

炭素と水素を含有するガス及び希ガスからなる混合ガスを、電子サイクロトロン共鳴法により励起して基材に接触させ、基材上にダイヤモンド状炭素膜からなる下地層を形成した後、該下地層に、炭素と水素を含有するガスを励起し接触させて成膜することを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/26 ,  C30B 29/04