Si基板上の光電融合デバイス構造及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999136515
Publication number (International publication number)：2000332229
Application date： May. 18, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】Si上に立方晶のIII-VN材料を積層し、その上にIII-V材料の化合物半導体デバイスを作製する技術である。【解決手段】光電融合デバイス構造は、電子デバイス202を持つ(100)面を有するSiウエハ201上に、選択成長用マスク203が形成され、第1のIII-V材料204を成膜したあと、第1のIII-V材料204より格子定数の長い第2のIII-VN材料及び第1のIII-V材料より格子定数の短い第3のIII-VN材料から成る多層薄膜205が歪み補償されながら積層され、その間、選択成長用マスク203上を横方向成長することで選択的に成膜された第4のIII-VN材料結晶を有し、且つ第4のIII-VN材料結晶上に化合物半導体光デバイス206〜209を有する。第4のIII-VN材料結晶は、第1のIII-V材料204とほぼ等しい格子定数を有する。

Claim (excerpt)：

電子デバイスの形成された(100)面を有するSiウエハ上に、選択成長用マスクが形成され、Siとは格子定数の異なる或はSiとほぼ等しい格子定数の第1のIII-V材料から成る薄膜を成膜したあと、該第1のIII-V材料より長い格子定数を有する第2のIII-VN材料及び第1のIII-V材料より短い格子定数を有する第3のIII-VN材料から成る多層薄膜が歪み補償されながら積層され、その間、前記選択成長用マスク上を横方向成長することで選択的に成膜された、前記第1のIII-V材料とほぼ等しい格子定数を有する第4のIII-VN材料結晶を有し、且つ該第4のIII-VN材料結晶上に積層された化合物半導体光デバイスを有することを特徴とするSi基板上の光電融合デバイス構造。

IPC (6)：

H01L 27/15 , H01L 21/205 , H01L 27/14 , H01L 31/02 , H01S 5/183 , H01S 5/323

FI (6)：

H01L 27/15 B , H01L 21/205 , H01L 27/14 Z , H01L 31/02 A , H01S 3/18 652 , H01S 3/18 673

F-Term (49)：

4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118BA02 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118FC03 , 4M118FC06 , 4M118FC15 , 4M118FC18 , 4M118FC20 , 5F045AA05 , 5F045AB10 , 5F045AB12 , 5F045AB17 , 5F045AB19 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AD10 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AB05 , 5F073AB13 , 5F073AB14 , 5F073AB17 , 5F073BA02 , 5F073CA04 , 5F073CA13 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073CB09 , 5F073DA05 , 5F088AA03 , 5F088AB07 , 5F088BA15 , 5F088CB04 , 5F088EA02 , 5F088EA09 , 5F088JA03 , 5F088KA08 , 5F088LA01 , 5F088LA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

窒素を含む化合物半導体多層膜ミラー及びそれを用いた面型発光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-223083 Applicant：キヤノン株式会社
化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-072205 Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

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