Pat

J-GLOBAL ID：200903077533009881

アレイ型半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 鬼頭 雅弘 ,  石野 正人 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265880
Publication number (International publication number)：1993110187
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 発振波長以外の特性が同一な分布帰還型半導体レ-ザを同一基板上に集積する。【構成】 InP基板1上に異なる高さと幅を設定したメサをストライプ状に順次並べて形成する。導波路層2を表面が平坦になるように液相成長法でエピタキシャル成長させる。導波路層2表面に回折格子11を形成する。導波路層3、活性層4、アンチメルトバック層5、p型クラッド層6を導波路層2上にエピタキシャル成長させる。以上のような構成にすることにより、回折格子11の高さは各レ-ザ18、19、20において均一であり実効屈折率が異なるため、発振波長以外のレ-ザ特性が同一な分布帰還型半導体レ-ザを同一基板上に集積することが可能となる。

Claim (excerpt)：

単位半導体レーザ部が分布帰還型半導体レーザで形成されたモノシリックなレーザアレイ型半導体レーザ素子において、化合物半導体基板と、前記基板上に前記単位半導体レーザ部の共振器とを備え、前記共振器は少なくとも活性層、第1の導波路層及び第2の導波路層を含み、前記第1の導波路層と前記第2の導波路層は隣接し、前記第2の導波路層の屈折率が前記基板の屈折率と前記第1の導波路層の屈折率の間の値を有し、回折格子が前記第1の導波路層と前記第2の導波路層の間に設けられ、前記単位半導体レーザ部の第2の導波路層の層厚が他の単位半導体レーザの第2の導波路層の層厚と異なっていることを特徴とするアレイ型半導体レーザ。