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J-GLOBAL ID：200903077540387530

導電性接触プラグおよび集積回路における導電性接触プラグをレーザによる平滑化を利用して製造する方法

Inventor： ガーテージュ・エス・サンデュー ,  クリス・シー・ユウ ,  マーク・イー・タトル ,  トラング・ティー・ドーン
Applicant, Patent owner： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
Agent (1)： 田澤 博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175081
Publication number (International publication number)：1993206061
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 導電性接触プラグと内部接続線を別々に製造する方法およびこうして得られる接触プラグの提供。【構成】 接触プラグ27はレーザによる平滑化とブランケットエッチングを利用して形成される。接触プラグ27と内部接続線36は導電材料を実質的に同じ方法で蒸着して形成する。接触プラグ27と内部接続線36の間の接合性はレーザ平滑化法により高める。表面が平滑化された誘電体層16を備えたウエハ13を用い、この誘電体層16にマスキングによりコンタクトホールの位置を定める。こうしてエッチングを施すと、誘電体層を貫通して後に接触プラグと接触することになる接触領域14に到達するコンタクトホールが得られる。ついで誘電体層の上に第1の導電層を蒸着する。そして第1の導電層の上に、反射防止コーティング(あるいは第1の導電層より高い沸点を有する材料層)を蒸着する。

Claim (excerpt)：

空隙を実質的に充填する方法であって、a)少なくとも空隙(18)に材料(22)を蒸着する工程と、b)前記空隙(18)中の材料(22)が液状になるよう、材料(22)にレーザを照射する工程と、c)前記材料(22)へのレーザの照射を中止する工程を含む方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-079433
  
• 特開平3-003331
  
• 特開昭63-053949
  
• 特開平3-055845