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J-GLOBAL ID：200903077541453154

オーミック電極及びその形成方法

Inventor： 宮嶋 孝夫 ,  成井 二三代
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992160101
Publication number (International publication number)：1993335267
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】ZnSe等におけるII-VI族のn型結晶層に設けられた、低い接触比抵抗値、安定した特性、均一なオーミック性を有するオーミック電極及びその形成する方法を提供する。【構成】II-VI族のn型結晶層にオーミック電極22を形成する方法は、(イ)II-VI族のn型結晶層18に高濃度ドーピング層20を形成する工程と、(ロ)この高濃度ドーピング層20の表層をエッチングする工程と、(ハ)エッチング後の高濃度ドーピング層上20に、Ti層24を形成し、更にその上に金属層26,28を形成する工程、から成る。オーミック電極22は、II-VI族のn型結晶高濃度ドーピング層20に形成され、この高濃度ドーピング側から、Ti層24及び金属層26,28から成る。

Claim (excerpt)：

II-VI族のn型結晶層にオーミック電極を形成する方法であって、(イ)II-VI族のn型結晶層に高濃度ドーピング層を形成する工程と、(ロ)該高濃度ドーピング層の表層をエッチングする工程と、(ハ)エッチング後の高濃度ドーピング層上に、Ti層を形成し、更にその上に金属層を形成する工程、から成ることを特徴とするオーミック電極の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-072683
  
• 特開昭62-073710
  
• 特開昭54-104295