Pat

J-GLOBAL ID：200903077544460810

半導体装置の製造方法

Inventor： 細田 勉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993224469
Publication number (International publication number)：1995086395
Application date： Sep. 09, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は下部配線層等の表面の自然酸化膜等を除去するための表面処理を含む半導体装置の製造方法に関し、被処理体等のチャージアップを防止し、かつ被処理体等へのダメージの導入を防止しつつ、被処理体等の表層を除去することができる表面処理を含む半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板11/12上に形成されたタングステン膜13或いはタングステン含有膜,又はモリブデン膜或いはモリブデン含有膜の表面を、三フッ化窒素を含むガス中で、かつ前記基板11/12を加熱した状態で処理し、表層を除去することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたタングステン膜或いはタングステン含有膜,又はモリブデン膜或いはモリブデン含有膜の表面を、三フッ化窒素を含むガス中で、かつ前記基板を加熱した状態で処理し、表層を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/88 M