Pat
J-GLOBAL ID：200903077550365179
半導体光増幅器およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993282240
Publication number (International publication number)：1995135372
Application date： Nov. 11, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】利得が高くかつ飽和光出力の高い半導体光増幅器およびその製造方法を提供する。【構成】活性層4のバンドギャップ波長が光入射側端面よりも光出射側端面付近において短波長となっていること、あるいはその活性層が多重量子井戸構造からなっていること、あるいはその活性層が引っ張り歪型の多重量子井戸構造からなり、光入射端面付近よりも光出射端面付近において歪量が大きくなっている半導体光増幅器である。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に少なくとも活性層が形成され、光入力側端面および光出力側端面に低反射膜が形成されなる半導体光増幅器において、活性層のバンドギャップ波長が光入射側端面よりも光出射側端面付近において短波長となっていることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (2)：
Return to Previous Page
