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J-GLOBAL ID：200903077551120560
半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994070664
Publication number (International publication number)：1995283439
Application date： Apr. 08, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】超小型で高機能・低価格の半導体発光素子の提供と、製造工程及び製品の歩留りの向上と高信頼性の実現をはかる。【構成】 半導体層上面に、少なくともPN接合面に達する溝部分を形成し、半導体層の上面及び底面に電極層を形成し、溝部分に沿って半導体層及び電極層を切断し、個々の半導体発光素子に分離する。又は、半導体層上面に、少なくともPN接合面に達する溝部分を形成し、溝部分を絶縁性物質により被覆した後、半導体層の上面及び底面に電極層を形成し、溝部分に沿って半導体層、被覆層の一部及び電極層を切断し、個々の半導体発光素子に分離する。
Claim (excerpt)：
PN接合を有する半導体層が積層形成され、該半導体層を挟んで電極層が形成されてなる半導体発光素子において、前記半導体層のPN接合面に垂直な端面のうち少なくとも一端面上に露出するPN接合部及びその近傍が、周囲の前記垂直な端面よりも低い位置になるように形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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