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J-GLOBAL ID：200903077554639842

露光方法

Inventor： 西 健爾
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 大森 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993000583
Publication number (International publication number)：1994204105
Application date： Jan. 06, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 1枚又は複数枚のレチクルにそれぞれ形成されたパターンの像を感光基板上に順次つなぎ合わせて露光する際に、隣接するショット領域間の継ぎ部での重ね合わせ精度を向上する。【構成】 第1のショット領域S1上に回路パターン像16PAを露光する際に、アライメントマークの像21PA及び22PAを露光する。次に第2のショット領域S2を投影光学系の露光フィールド内に移動して、潜像パターンとしてのアライメントマークの像21PA及び22PAの位置を検出し、この結果よりこれから露光するレチクルと感光基板との位置合わせを行う。その後、第2のショット領域S2へ回路パターン像16PBを露光するときに、2重露光によりアライメントマークの像21PA及び22PAを消去する。

Claim (excerpt)：

1枚又は複数枚のマスクにそれぞれ形成されたパターンの像を感光基板上に順次つなぎ合わせて露光することにより、前記1枚又は複数枚のマスクの個々のパターンの像よりも広い面積のパターン像を前記感光基板上に露光する方法において、転写用のパターン及び位置合わせ用のマークが形成された第1のマスクを用いて、前記転写用のパターン及び位置合わせ用のマークの像を前記感光基板上の第1のショット領域に露光し、次に前記感光基板上の前記第1のショット領域に隣接する第2のショット領域に、前記転写用のパターンの像につなぎ合わせて前記第1のマスク又は該第1のマスクとは異なる第2のマスクのパターンの像を露光する際に、既に露光されている前記位置合わせ用のマークの像の位置を検出し、該検出結果に基づいて前記第2のショット領域に転写されるパターンが形成されたマスクと前記感光基板との位置合わせを行うことを特徴とする露光方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (3)：

H01L 21/30 301 M ,  H01L 21/30 311 M ,  H01L 21/30 311 L